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  高性能

  美光232層NAND具有璀璨業(yè)界的NAND輸入/輸出(I/O)速度(每秒2.4GB)，可滿足低延遲和高吞吐量的需求，適用于人工智能、非結(jié)構(gòu)化數(shù)據(jù)庫、實(shí)時(shí)分析與云計(jì)算等數(shù)據(jù)密集型工作負(fù)載。

  數(shù)據(jù)密度

  美光232層高密度NAND便于客戶進(jìn)行靈活設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)了每平方毫米高達(dá)14.6Gb的TLC密度。面密度比當(dāng)今市場上的TLC競品高35%到100%。

  無處不在的應(yīng)用

  更大的存儲(chǔ)容量—增加堆疊層數(shù)以提高存儲(chǔ)容量至每裸片1Tb，每封裝2TB—從智能邊緣到云計(jì)算，美光232層 NAND為更多設(shè)備提供更大存儲(chǔ)，以幫助實(shí)現(xiàn)更智能，功能更強(qiáng)大的設(shè)備。

  為新一波端到端技術(shù)創(chuàng)新浪潮奠定基礎(chǔ)

  從大規(guī)模數(shù)據(jù)中心到小型設(shè)備，NAND能夠滿足不斷發(fā)展的對高性能、即時(shí)響應(yīng)存儲(chǔ)的需求。美光下一代232層NAND拓展了其NAND技術(shù)優(yōu)勢，能夠提供更快、更高容量的存儲(chǔ)解決方案。

  擴(kuò)展技術(shù)邊界：

  NAND堆疊層數(shù)提升至232層

  2020年，美光發(fā)布了?176層3DNAND，確立成為NAND技術(shù)領(lǐng)域前沿廠商。如今憑借下一代232層NAND技術(shù)實(shí)現(xiàn)應(yīng)用與進(jìn)入市場，我們進(jìn)一步鞏固了自身的技術(shù)優(yōu)勢。