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英飛凌公司
2022-12-12 2107次

英飛凌公司


  英飛凌科技股份有限公司(英飛凌公司)前身是西門子股份有限公司的半導(dǎo)體部門(Siemens Semiconductor),于1999年4月1日在德國(guó)慕尼黑成立,平均每年投入銷售額的17%用于研發(fā),是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體與系統(tǒng)解決方案公司之一。


英飛凌公司


  Infineon(英飛凌)曾經(jīng)名為億恒科技,自2002年起更名至今,其無線解決方案部門在2010年8月出售給英特爾。

  來自德國(guó)的英飛凌是全球十大半導(dǎo)體企業(yè)之一。英飛凌為您提供全面的半導(dǎo)體解決方案,實(shí)現(xiàn)智能出行、高效的能源管理以及安全的數(shù)據(jù)采集與傳輸。

  英飛凌大中華區(qū)總部位于中國(guó)上海,在全國(guó)范圍內(nèi)設(shè)有12個(gè)銷售辦公室、3個(gè)研發(fā)中心和2個(gè)生產(chǎn)制造基地。

  目前,英飛凌大中華區(qū)約有員工2000人,專利4000多項(xiàng),營(yíng)收全球占比達(dá)35%,是英飛凌全球銷售規(guī)模最大的區(qū)域市場(chǎng)。

  英飛凌無錫是英飛凌在華最大的制造基地,其前身為西門子半導(dǎo)體部門,成立于1995年10月。20多年來,英飛凌無錫始終專注于分立器件、智能卡芯片和功率半導(dǎo)體的后道制造,產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于汽車電子、消費(fèi)電子、銀行卡、護(hù)照、交通票務(wù)等多個(gè)領(lǐng)域,助力應(yīng)對(duì)社會(huì)所面臨的主要挑戰(zhàn)。

  如今,公司已經(jīng)成為英飛凌大中華區(qū)及全球業(yè)務(wù)的重要推力。

  目前,英飛凌公司全球業(yè)務(wù)持續(xù)不斷上升,產(chǎn)品供不應(yīng)求。公司業(yè)務(wù)訂單已經(jīng)全面恢復(fù)飽和,整體訂單量持續(xù)增加,產(chǎn)能利用率將達(dá)90%以上。為100%滿足客戶需求,現(xiàn)在招聘若干作業(yè)員以滿足生產(chǎn)要求。

  • Neutron Controls與英飛凌合作汽車電池管理平臺(tái)
  • 英飛凌科技的解決方案可幫助工程師開發(fā)可靠的汽車電池管理系統(tǒng)(BMS)。英飛凌首選設(shè)計(jì)公司Neutron Controls現(xiàn)已發(fā)布ECU8?系統(tǒng)平臺(tái),能夠加速基于英飛凌芯片組的電池管理系統(tǒng)(BMS)開發(fā)。通過該平臺(tái),Neutron Controls及其設(shè)計(jì)服務(wù)客戶可以為電池管理單元提供完整的半導(dǎo)體硬件和軟件平臺(tái)解決方案,并符合ASIL-D, ISO26262標(biāo)準(zhǔn),從而顯著減少開發(fā)工作量。
    2023-10-30 430次
  • 英飛凌完成收購(gòu)氮化鎵系統(tǒng)公司GaN Systems
  • 德國(guó)慕尼黑和加拿大渥太華訊——英飛凌科技于2023年10月24日宣布完成收購(gòu)氮化鎵系統(tǒng)公司(GaN Systems,以下同)。這家總部位于加拿大渥太華的公司,為英飛凌帶來了豐富的氮化鎵 (GaN) 功率轉(zhuǎn)換解決方案產(chǎn)品組合和領(lǐng)先的應(yīng)用技術(shù)。
    2023-10-30 437次
  • 英飛凌采用150V OptiMOS功率MOSFET 電機(jī)驅(qū)動(dòng)評(píng)估板
  • EVAL-6ED2742S01QM1評(píng)估套件包括一塊三相逆變功率板,內(nèi)含額定電壓為160V 的6ED2742S01Q(5x5 VQFN-32)三相柵極驅(qū)動(dòng)器,驅(qū)動(dòng)六個(gè)額定電壓為150V的 OptiMOS? MOSFET BSC074N15NS5 (5x6 Super SO8)。
    2023-10-25 455次
  • 英飛凌攜手英飛源拓展新能源汽車充電市場(chǎng)
  • 英飛凌科技宣布與中國(guó)的新能源汽車充電市場(chǎng)領(lǐng)軍企業(yè)英飛源達(dá)成合作。英飛凌將為英飛源提供業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的1200 V CoolSiC? MOSFET功率半導(dǎo)體器件,用于提升電動(dòng)汽車充電站的效率。
    2023-10-12 394次
  • 英飛凌新能源“東風(fēng)”下的碳化硅(SiC)
  • 所謂第三代半導(dǎo)體,指的是以碳化硅(SiC)、氮化鎵為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料,與前兩代半導(dǎo)體材料相比,具備高頻、耐高壓、耐高溫、抗輻射能力強(qiáng)等優(yōu)越性能,因此在新能源車、光伏、風(fēng)電、5G基站、高鐵等領(lǐng)域有著很大應(yīng)用潛力。
    2023-07-07 464次

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