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基礎半導體器件領域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家 Nexperia安世半導體近日宣布推出與功率 MOSFET 配套使用的新一代交互式數(shù)據(jù)手冊，大幅提升了對半導體工程師的設計支持標準。通過操作數(shù)據(jù)手冊中的交互式滑塊，用戶可以手動調整其電路應用的電壓、電流、溫度和其他條件，并觀察器件的工作點如何動態(tài)響應這些變化。

  這些交互式數(shù)據(jù)手冊使用 Nexperia 安世半導體的高級電熱模型計算器件的工作點，可有效地為電路仿真器提供一種圖形用戶界面。此外，工程師借助這些交互式數(shù)據(jù)手冊可以即時查看柵極電壓、漏極電流、 RDS(on) 和溫度等參數(shù)之間的相互作用。然后將以表格或圖形的形式動態(tài)顯示這些參數(shù)對器件行為的綜合影響。因此， Nexperia 安世半導體的交互式數(shù)據(jù)手冊可以減少工程師執(zhí)行手動計算或設置和調試電路仿真所需的時間，從而顯著提高生產(chǎn)力。

  當設計工程師想要為某個應用選擇器件時，他們首先會想到查閱數(shù)據(jù)手冊。然而，數(shù)據(jù)手冊中包含了大量信息，包括數(shù)十個器件參數(shù)的最小、最大和典型規(guī)格，通常難以確定這些參數(shù)之間的關系。因此，工程師必須進行耗時的手動計算或使用制造商提供的模型(假設這些模型可用)建立電路仿真器，以全面了解器件行為。即便如此，許多制造商的仿真模型也不會顯示溫度變化對器件行為的影響。在 Nexperia安世半導體推出的新型交互式數(shù)據(jù)手冊中，通過簡單易用的數(shù)據(jù)手冊滑塊，工程師可以手動更改參數(shù)來顯示不同參數(shù)的實時交互。

  Nexperia安世半導體功率 MOSFET 業(yè)務部高級總監(jiān) Chris Boyce 表示：

  我們新推出的交互式數(shù)據(jù)手冊適用范圍非常廣，無論是希望了解器件高溫性能的設計工程師，還是想要在不同的測試條件下對器件進行比較的元件工程師，都能幫助他們更輕松地完成工作。

  這些數(shù)據(jù)手冊的技術原理與 Nexperia安世半導體獲得巨大成功的精密電熱 MOSFET 模型中使用的技術相同，可以充分展示分立 MOSFET 的行為如何隨溫度變化。新型交互式數(shù)據(jù)手冊除了具備傳統(tǒng)靜態(tài)數(shù)據(jù)手冊功能，還可在任何標準網(wǎng)頁瀏覽器中運行，不需要額外的器件仿真軟件。

  目前，交互式數(shù)據(jù)手冊初始版本正在申請專利， Nexperia安世半導體將聯(lián)系全球客戶工程師社區(qū)，評估交互式數(shù)據(jù)手冊的實時使用情況，以擴展未來版本的功能。

  目前已有200多個交互式數(shù)據(jù)手冊，涵蓋了 Nexperia最新一代汽車和工業(yè)功率 MOSFET 中的器件。Nexperia安世半導體計劃將陸續(xù)推出完整的分立 MOSFET 產(chǎn)品組合和其他器件的交互式數(shù)據(jù)手冊。