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  由于該電路是進(jìn)行同步整流工作的電路，所以我們通過仿真來探討高邊(HS)和低邊(LS)SiC MOSFET SCT2450KE的死區(qū)時間理想值，即不直通的最短時間。死區(qū)時間可以通過仿真工具的PWM控制器參數(shù)TD1(HS)和TD2(LS)來分別設(shè)置。

圖1：PFC仿真電路“A-6. PFC CCM Synchro Vin=200V Iin=2.5A”

  死區(qū)時間內(nèi)的損耗

  圖2表示死區(qū)時間內(nèi)的電流流動情況。在橋式結(jié)構(gòu)的電路中，要防止直通電流，就需要確保足夠的死區(qū)時間長度，但如果將死區(qū)時間設(shè)置得過長，會導(dǎo)致?lián)p耗增加。這是因為在死區(qū)時間內(nèi)，SiC MOSFET處于OFF狀態(tài)，因此電流會流過體二極管。通常，體二極管的導(dǎo)通損耗比較大，其導(dǎo)通時間越長，損耗越大。

圖2：死區(qū)時間內(nèi)的電流流動情況

  死區(qū)時間和功率因數(shù)

  圖3表示死區(qū)時間長度與電感電流IL之間的關(guān)系。如果死區(qū)時間過長，低電壓區(qū)域可能會變?yōu)閿嗬m(xù)工作狀態(tài)，電感電流波形可能會失真，功率因數(shù)可能會惡化。因此，從功率因數(shù)的角度來看，將死區(qū)時間設(shè)置得過長并非好事。

圖3：死區(qū)時間長度與電感電流IL的關(guān)系

  探討理想的死區(qū)時間

  圖4表示使死區(qū)時間變化時SiC MOSFET的損耗仿真結(jié)果。

圖4：表示使死區(qū)時間變化時SiC MOSFET的損耗仿真結(jié)果

  從圖中可以看出，當(dāng)死區(qū)時間在50ns以下時，損耗會因流過直通電流而急劇增加。反之，當(dāng)延長死區(qū)時間時，HS SiC MOSFET的體二極管的導(dǎo)通時間會變長，因此在這種條件下?lián)p耗也會增加。SiC MOSFET的損耗最小時，正是死區(qū)時間最短(沒有直通電流)時，在本例中為100ns時。但是，由于開關(guān)速度會隨溫度和批次差異等因素而波動，因此通常需要留100ns左右的余量。也就是說，在這種情況下，200ns是理想的死區(qū)時間。