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  隨著5G網(wǎng)絡(luò)、物聯(lián)網(wǎng)等終端應(yīng)用不斷進(jìn)行優(yōu)化與技術(shù)升級，整體方案呈現(xiàn)小型化、功能系統(tǒng)化發(fā)展趨勢。集成度更高、能效更高的芯片方案也成為終端應(yīng)用的優(yōu)先選擇。本期小編將為大家重點(diǎn)推介矽力杰超小封裝模擬信號鏈產(chǎn)品系列方案。

  矽力杰工業(yè)級高精度功率監(jiān)測器方案SQ52204采用超小CSP1.39×1.68-12封裝,適用于手機(jī)、筆記本、IoT等高性能、高集成度設(shè)備。極低的輸入偏置電流允許使用較大阻值的電阻器進(jìn)行電流檢測，從而實(shí)現(xiàn)μA級別的精密電流測量;同時(shí)極低的輸入失調(diào)電壓允許使用較小阻值的電阻器進(jìn)行電流檢測以降低功耗，并保證檢測精度。

  1、SQ52204

  內(nèi)置積分器的電流/電壓/功率監(jiān)控器

  ◆ 總線檢測電壓范圍: 0~36V

  ◆ 支持高側(cè)或低側(cè)檢測

  ◆ 集成16位ADC

  ◆ 電流、電壓和功率檢測報(bào)警功能

  ◆ 內(nèi)置積分器用于能量和平均功耗計(jì)算

  ◆ 高精度：

  ? 0.45%增益誤差(最大值)

  ? ±10μV差分失調(diào)電壓(最大值)

  ◆ 超低偏置電流：1nA(最大值)

  ◆ 可配置的平均次數(shù)

  ◆ 靈活報(bào)警觸發(fā)機(jī)制

  ◆ 16個(gè)可編程地址

  ◆ 兼容高速I2C模式和SMBus模式

  ◆ 采用2.7~5.5V單電源供電

  ◆ 工作溫度范圍：–40°C~125°C

  ◆ 緊湊型封裝：CSP1.39×1.68-12

  SQ82968采用CSP2.605×2.605-16封裝，是一款低功耗、高驅(qū)動(dòng)能力(30mA)的16位DAC芯片，內(nèi)置高精度基準(zhǔn)(5ppm/°C)，滿足光模塊對激光器偏壓控制芯片小尺寸的要求。

  2、SQ82968

  8通道16位電壓輸出DAC

  ◆ 低功耗，小尺寸8通道16位DAC

  ◆ 片上1.25V/2.5V, 5ppm/°C基準(zhǔn)

  ◆ 3種省電模式。當(dāng)省電開啟時(shí)，DAC在3V電壓下電流低至200nA，在5V電壓下電流低至400nA。

  ◆ 上電復(fù)位至0V或中間電平

  ◆ 電源電壓：2.7~5.5V

  ◆ 設(shè)計(jì)保證具有單調(diào)性

  ◆ /CLR支持DAC輸出復(fù)位到軟件預(yù)先指定幅度

  ◆ 軌對軌輸出

  ◆ 緊湊型封裝：CSP2.605×2.605-16

  SQ52110采用DFN2x2-10封裝，產(chǎn)品內(nèi)置可選響應(yīng)時(shí)間及可編程閾值的電流檢測比較器，使其適用于過流診斷的應(yīng)用;超小封裝有助于提升系統(tǒng)功率密度，廣泛應(yīng)用于筆記本電腦、高性能電源、電池充電器等場合。

  3、SQ52110

  高精度電流檢測比較器

  ◆ 寬共模范圍：0V~36V

  ◆ 可選響應(yīng)時(shí)間：10μs、50μs、100μs

  ◆ 可編程閾值：

  ? 使用單個(gè)電阻進(jìn)行調(diào)整

  ? 可編程范圍為 0 mV~250 mV

  ◆ 精度：

  ? 偏移電壓：±500μV(最大值)

  ? 偏移漂移：0.5μV/°C(最大值)

  ◆ 可選擇遲滯：2 mV、4 mV、8 mV

  ◆ 有源靜態(tài)電流：135μA(典型值)

  ◆ 可選禁用模式

  ? 禁用靜態(tài)電流：1.2μA(最大值)

  ? 禁用輸入偏置電流：500nA(最大值)

  ◆ 具有鎖存模式的漏極開路輸出

  ◆ 緊湊型封裝：DFN2x2-10

  矽力杰ESD靜電保護(hù)芯片方案采用業(yè)界超小DFN封裝，尺寸僅為0.6×0.3mm。在實(shí)現(xiàn)更快瞬態(tài)響應(yīng)、更高集成度的同時(shí)，大大節(jié)省PCB空間，為智能穿戴、數(shù)據(jù)中心、通信設(shè)備等提供了理想的高頻數(shù)據(jù)保護(hù)方案，滿足更高帶寬的USB接口和更輕薄的移動(dòng)設(shè)備的需求。

  4、SYT31A01

  超低電容靜電保護(hù)

  ◆ 應(yīng)用于Thunderbolt3.0/4.0, USB4.0等高速數(shù)據(jù)線的靜電保護(hù)

  ◆ IEC61000-4-2(靜電)±15kV(空氣/接觸)

  ◆ IEC61000-4-2(浪涌)6A(8/20μs)

  ◆ 超低電容：0.17pF

  ◆ 超低殘壓：4V@6A(8/20μs浪涌),

  4.8V@16A(10/100ns TLP)

  ◆ 針對高速線路優(yōu)化的超小封裝:

  ? DFN0.6×0.3-2

  5、SYT11M05

  超低電容靜電保護(hù)

  ◆ 應(yīng)用于智能手機(jī)，TWS耳機(jī)靜電保護(hù)

  ◆ IEC61000-4-2(靜電)±30kV(空氣/接觸)

  ◆ IEC61000-4-2(浪涌)9A(8/20μs)

  ◆ 低殘壓：7.5V@9A(8/20μs浪涌),

  8V@16A(10/100ns TLP)

  ◆ 針對高速線路優(yōu)化的超小封裝:

  ? DFN0.6×0.3-2

  ? DFN1.0×0.6-2