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EPM1270T144I5N

一、EPM1270T144I5N介紹

  廠商型號(hào)：EPM1270T144I5N

  品牌名稱：INTEL(英特爾)

  元件類別：CPLD復(fù)雜可編程邏輯器件

  封裝規(guī)格：TQFP-144_20x20x05P

  型號(hào)介紹： 32位通用微控制器

二、EPM1270T144I5N概述

  GD32F103RBT6是基于ARMCortextm-M3RISC核心的32位通用微控制器，在處理能力、降低功耗和外圍設(shè)備設(shè)置方面具有最佳比例。Cortextm-m3是下一代處理器的核心，與嵌套矢量中斷控制器(NVIC)緊密耦合，Systick計(jì)時(shí)器和高級(jí)調(diào)試支持。GD32F103RBT6包含ARMCortexTM-M332位處理器核心，工作在108MHz頻率，F(xiàn)lash訪問(wèn)零等待狀態(tài)，以達(dá)到最大效率。它提供高達(dá)3MB的片上閃存和高達(dá)96KB的SRAM內(nèi)存。將I/o和外設(shè)廣泛連接到兩個(gè)APB總線。該設(shè)備最多提供3個(gè)12位adc、2個(gè)12位dac、10個(gè)通用16位計(jì)時(shí)器、兩個(gè)基本計(jì)時(shí)器和兩個(gè)PWM高級(jí)控制計(jì)時(shí)器、標(biāo)準(zhǔn)和高級(jí)通信接口：最多3個(gè)spi、2個(gè)I'c、3個(gè)USARTS、2個(gè)UARTS、2個(gè)I's、1個(gè)USB2.0FS、1個(gè)CAN和1個(gè)SDIO。溫度范圍為-40℃~+85℃，電源電壓為2.6V~3.6V。在低功耗應(yīng)用中，幾種省電模式提供了最大限度地優(yōu)化喚醒延遲和功耗的靈活性。

  特點(diǎn)：

  CPLD成本低，功耗低。

  ○即時(shí)、非易失性結(jié)構(gòu)。

  ○待機(jī)電流低至25μA。

  ○提供快速傳輸延遲和時(shí)鐘到輸出時(shí)間。

  ○提供4個(gè)全局時(shí)鐘，每個(gè)邏輯陣列塊(LAB)提供2個(gè)時(shí)鐘。

  不易失性存儲(chǔ)的UFM塊高達(dá)8Kbits。

  ○多伏特磁芯為設(shè)備提供外部電源電壓。

  3.3V/2.5V或1.8V。

  ○多伏特I/O、2.5v、1.8v、1.5v邏輯電平的多伏特I/O接口。

  ○友好的總線架構(gòu)，包括可編程轉(zhuǎn)換率、驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度、

  保持總線和可編程上拉電阻。

  ○Schmitt觸發(fā)允許噪聲容忍輸入(每針可編程)

  ○I/o完全符合外圍組件互連的特殊性(Peripheralcomponenenterconectspecial)

  PCI本地總線規(guī)范興趣組(PCISIG)，3.3-V版2.2。

  66兆赫頻率。

  ○支持hot-socketing。

  ○內(nèi)置聯(lián)合測(cè)試動(dòng)作組(JTAG)邊界掃描測(cè)試(BST)電路。

  符合IEEEStd.1149.1-1990標(biāo)準(zhǔn)。

  ○ISP電路符合IEEE標(biāo)準(zhǔn)1532。

三、EPM1270T144I5N引腳圖、原理圖、封裝圖

EPM1270T144I5N引腳圖

EPM1270T144I5N電路圖(原理圖)

EPM1270T144I5N封裝圖