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  在IGBT模塊中，芯片面積減小導(dǎo)致了熱阻抗的增加，進(jìn)而影響性能。但是，由于較小的芯片在基板上釋放了更多的空間，因此有可能利用這些新的可用空間來優(yōu)化模塊的布局。在這篇文章中，我們將探討如何調(diào)整模塊設(shè)計(jì)來改善熱性能。下篇將探討如何改善電氣性能。作為參考，我們將使用采用TRENCHSTOP? IGBT 7技術(shù)的新型1200V、600A EconoDUAL? 3模塊，該模塊針對(duì)通用驅(qū)動(dòng)(GPD)、商業(yè)、建筑和農(nóng)業(yè)車輛(CAV)、不間斷電源(UPS)和太陽(yáng)能等應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。

  更小的芯片帶來的散熱挑戰(zhàn)

  與以前的IGBT 4技術(shù)相比，1200V TRENCHSTOP? IGBT 7中功率芯片的技術(shù)特點(diǎn)是芯片縮小了約30%。一般來說，越小越好，但對(duì)一個(gè)相同電流等級(jí)的模塊，更小的芯片意味著從相同的芯片面積中流過更多的電流。這導(dǎo)致了從芯片結(jié)到散熱器的熱阻抗增加。為了補(bǔ)償，你可以使用高導(dǎo)電性的基板材料，改善基片與散熱器的接觸，或使用高導(dǎo)電性的熱界面材料。然而，這種材料會(huì)導(dǎo)致更高的成本，所以它們往往不是設(shè)計(jì)者的首選。

  每個(gè)人都喜歡免費(fèi)的東西，不是嗎?因此，讓我們把注意力轉(zhuǎn)移到基板上的“免費(fèi)”空間?？s小30%的芯片使基板上有更多的可用空間?，F(xiàn)在，我們?nèi)绾卫眠@些新釋放出來的空間來改善熱阻抗?

  在EconoDUAL? 3這樣的中等功率模塊中，多個(gè)芯片并聯(lián)使用，以實(shí)現(xiàn)高模塊電流。由于并聯(lián)，多芯片間存在熱耦合。來自兩個(gè)芯片的熱鋒在模塊的某一點(diǎn)上重疊，這導(dǎo)致兩個(gè)芯片的有效耦合面積減少(圖1)。

  圖1：簡(jiǎn)化的模塊橫截面顯示了兩個(gè)芯片的熱量擴(kuò)散和熱量重疊與芯片距離的關(guān)系。熱量從芯片1流經(jīng)直接鍵合的銅基板(DBC)、底板、TIM，并進(jìn)入散熱器。

  優(yōu)化IGBT模塊布局，提高熱性能

  帶有銅底板的模塊對(duì)芯片之間的距離依賴性較小，因?yàn)殂~底板為散熱器提供了一個(gè)厚實(shí)、高傳導(dǎo)性的熱路徑。然而，與其他優(yōu)化模塊布局的步驟相結(jié)合，芯片的位置可以產(chǎn)生重大影響。

  圖2：在不同的芯片放置和DBC設(shè)計(jì)下，EconoDUAL? 3封裝的散熱層中的模擬溫度分布

  在圖2中，你可以看到芯片放置在兩個(gè)具有相同熱堆的EconoDUAL? 3模塊布局上的差異。除了優(yōu)化芯片的位置外，直接鍵合銅基板(DBC)的布局也會(huì)產(chǎn)生影響。通過在模塊布局V2中使用三個(gè)較小的DBC--而不是V1中的兩個(gè)較大的DBC，底板可以被優(yōu)化，具有較低的彎曲度，從而改善與散熱器的熱接觸。

  為了了解芯片縮小、模塊布局和DBC如何結(jié)合起來影響整體熱阻抗(Rth,jh)，我們測(cè)量了它們對(duì)各種IGBT 4和IGBT 7模塊布局的影響。在圖3的第二列(IGBT7，模塊布局V1，DBC #1)，你可以看到，通過簡(jiǎn)單地縮小芯片尺寸而不對(duì)布局做任何改變，IGBT的Rth,jh增加了大約20%。

  圖3：與前一代IGBT 4模塊相比，通過模塊布局、腔體優(yōu)化和DBC厚度對(duì)Rth,jh的改進(jìn)

  我們?cè)诘谌龣谥懈M(jìn)一步(IGBT7，模塊布局V2，DBC #1)，顯示了將模塊的內(nèi)部布局從2個(gè)DBC改為3個(gè)DBC的影響，如圖2所示。這表明，通過模塊布局，30%的芯片面積減小，僅使IGBT結(jié)-散熱器Rth,jh增加了10%(IGBT7，模塊布局V2，DBC #1)

  為了適應(yīng)需要更高的隔離電壓的應(yīng)用，可以增加DBC陶瓷的厚度。圖3的最后一欄(IGBT7，模塊布局V2，DBC #2)代表了具有更厚陶瓷基板的新設(shè)計(jì)：已經(jīng)上市的1200V TRENCHSTOP? IGBT 7。