h1_key

  英飛凌推出采用 TO263-7 封裝的新一代車規(guī)級(jí)1200 V CoolSiC? MOSFET。該款碳化硅 (SiC) MOSFET 具有高功率密度和效率，可實(shí)現(xiàn)雙向充電，并顯著降低車載充電 (OBC) 和 DC-DC 應(yīng)用的系統(tǒng)成本。

  與第一代產(chǎn)品相比，1200 V CoolSiC 系列產(chǎn)品開關(guān)損耗降低了 25%，具有同類最佳的開關(guān)性能。開關(guān)行為的改進(jìn)可實(shí)現(xiàn)高頻開關(guān)，從而縮小系統(tǒng)尺寸并提高功率密度。由于開通閾值電壓(VGS(th))大于4V且Crss/Ciss比率極低，因此在VGS = 0 V時(shí)可實(shí)現(xiàn)可靠的關(guān)斷，而且沒有寄生導(dǎo)通的風(fēng)險(xiǎn)。這使得單電源驅(qū)動(dòng)成為可能，從而降低了系統(tǒng)成本和復(fù)雜性。另外，新一代產(chǎn)品具有低導(dǎo)通電阻(R DS(on))，減少了-55℃至175℃溫度范圍內(nèi)的導(dǎo)通損耗。

  先進(jìn)的擴(kuò)散焊接芯片貼裝工藝(.XT技術(shù))顯著改善了封裝的熱性能，相比第一代產(chǎn)品，SiC MOSFET的結(jié)溫降低了25%。

此外，這款MOSFET的爬電距離為5.89 mm，符合800 V系統(tǒng)要求并減少了噴涂三防漆類工作量。為滿足不同應(yīng)用的需求，英飛凌提供R DS(on)不同的一系列產(chǎn)品，包括目前市場上唯一采用TO263-7封裝的9 mΩ產(chǎn)品。

  科世達(dá)在其 OBC 平臺(tái)中使用 CoolSiC MOSFET

  KOSTAL Automobil Elektrik在為中國OEM廠商提供的新一代OBC平臺(tái)中采用了英飛凌最新的CoolSiC MOSFET?？剖肋_(dá)是一家全球領(lǐng)先的汽車充電系統(tǒng)供應(yīng)商，通過其標(biāo)準(zhǔn)化平臺(tái)方案為全球提供安全、可靠和高效的產(chǎn)品，可滿足各OEM廠商的要求及全球法規(guī)。

  英飛凌汽車高壓芯片和分立器件產(chǎn)品線副總裁Robert Hermann表示：“低碳化是這十年的主要挑戰(zhàn)，也是我們與客戶一起推動(dòng)汽車電氣化進(jìn)程的巨大動(dòng)力。因此，我們十分高興能與科世達(dá)合作。這個(gè)項(xiàng)目突出了憑借領(lǐng)先的SiC技術(shù)，我們的標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品組合在車載充電市場中的強(qiáng)大地位。”

  科世達(dá)亞洲副總裁兼技術(shù)執(zhí)行經(jīng)理Shen Jianyu表示：“英飛凌新一代1200V CoolSiC溝槽柵MOSFET額定電壓高、魯棒性優(yōu)異，是我們未來一代OBC平臺(tái)的關(guān)鍵部件。這些優(yōu)勢有助于創(chuàng)造一個(gè)兼容的設(shè)計(jì)，以管理我們最先進(jìn)的技術(shù)解決方案，實(shí)現(xiàn)成本優(yōu)化和大規(guī)模市場交付。”