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  思瑞浦已推出2通道數(shù)字隔離器TPT7720/7721系列,最新推出系列隔離產(chǎn)品：TPT7740/7741/7742四通道數(shù)字隔離器、TPT7487/7488隔離RS485、TPT71050/71044隔離CAN。

  針對(duì)工廠自動(dòng)化、電力自動(dòng)化、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、電源控制、醫(yī)療等應(yīng)用場(chǎng)景，思瑞浦隔離系列產(chǎn)品隔離耐壓等級(jí)5kVrms以上，ESD靜電保護(hù)達(dá)到±8kV, 防閂鎖Latch up能力800mA(高溫125℃)，性能與可靠性均處于國(guó)內(nèi)領(lǐng)先。共模瞬態(tài)抑制CMTI達(dá)到200kV/μs，在所有國(guó)內(nèi)外同類型隔離產(chǎn)品中，思瑞浦隔離器的CMTI能力處于國(guó)際領(lǐng)先地位。

  隔離產(chǎn)品特性

  思瑞浦隔離系列產(chǎn)品，均采用自主專利的隔離IP技術(shù)，隔離產(chǎn)品：TPT7740/7741/7742四通道數(shù)字隔離器、TPT7487/7488隔離RS485、TPT71050/71044隔離CAN，所采用的隔離IP技術(shù)具備如下特性：

  工作電壓范圍：2.25V – 5.5V

  通訊速率：100Mbps Data Rate

  低延時(shí)：12ns

  1A滿載條件下，輸入輸出壓差最大值僅為500mV

  耐壓能力：5kV RMS (WSOP16)

  浪涌能力：10kV peak (WSOP16)

  共模瞬態(tài)抑制能力：±200kV/μs CMTI

  寬溫度范圍：?40°C to +125°C

  封裝支持：SOP16、WSOP16

  可靠性防護(hù)能力：

  ±8kV IEC ESD

  ±800mA Latch up

  安規(guī)認(rèn)證：VDE、UL1577、TUV、CSA、CQC

  隔離產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)

  隔離器的核心指標(biāo)：Breakdown Voltage

  擊穿電壓Breakdown Voltage(BV)是隔離器的核心指標(biāo)， 思瑞浦的隔離產(chǎn)品BV達(dá)到10kV，與國(guó)內(nèi)同類產(chǎn)品相比，處于國(guó)內(nèi)領(lǐng)先水平，與國(guó)際友商產(chǎn)品的指標(biāo)12kV最為接近。

  點(diǎn)擊查看大圖，表1：Breakdown Voltage 對(duì)比

  抗沖擊保護(hù)能力

  隔離產(chǎn)品的使用場(chǎng)景比較惡劣，經(jīng)常有靜電和浪涌沖擊，對(duì)隔離產(chǎn)品的防護(hù)能力要求很高，思瑞浦隔離產(chǎn)品具備±8kV IEC ESD和±6kV防浪涌能力(對(duì)應(yīng)±10kV peak)，領(lǐng)先國(guó)內(nèi)同類產(chǎn)品，與國(guó)際友商產(chǎn)品性能一致，處于國(guó)際先進(jìn)水平。

  點(diǎn)擊查看大圖，表2：抗沖擊保護(hù)能力對(duì)比

  共模瞬態(tài)抑制CMTI能力

  CMTI即Common Mode Transient Immunity。CMT共模瞬變干擾，是指共模電壓在快速上升時(shí)(或下降)引起的干擾，上升斜率越快引起的干擾沖擊就越大，用dV/dt來標(biāo)識(shí)。CMTI，共模瞬變抗擾度，衡量器件在共模瞬變時(shí)依然能夠正常傳輸信號(hào)的能力，參數(shù)值是共模瞬變的最大Slew Rate，反映出隔離產(chǎn)品對(duì)共模瞬變干擾的抑制能力。如圖1所示，為數(shù)字隔離器CMTI測(cè)試模型框圖。

  圖1: CMTI測(cè)試模型

  在電機(jī)驅(qū)動(dòng)等典型應(yīng)用中，使用PWM脈寬控制柵極驅(qū)動(dòng)或MOS FET，后者用來驅(qū)動(dòng)電機(jī)。MOS FET等功率器件往往工作在硬開關(guān)狀態(tài)下，若使用普通的硅MOS FET，產(chǎn)生的電壓跳變(dV/dt)干擾通常在40kV/μs以內(nèi)，大多數(shù)的隔離產(chǎn)品CMTI都可以滿足該需求。而同樣參數(shù)的碳化硅/氮化鎵器件，開關(guān)速度更快，特別是下降沿時(shí)會(huì)更加惡劣，如圖2模擬CMTI下降沿測(cè)試電路，表格3的數(shù)據(jù)也是基于此條件而得出。

  圖2：CMTI下降沿測(cè)試電路

  點(diǎn)擊查看大圖，表3：抗沖擊保護(hù)能力對(duì)比

  下圖3，在使用碳化硅MOS FET時(shí)，所產(chǎn)生共模干擾的最大下降斜率會(huì)達(dá)到200kV/μs，因此要求隔離產(chǎn)品具備200kV/μs以上CMTI能力。

  圖3：CMTI下降沿測(cè)試波形

  如果隔離產(chǎn)品的CMTI能力不夠，dV/dt干擾會(huì)對(duì)低壓側(cè)控制信號(hào)造成很大的影響。一旦產(chǎn)生誤脈沖，嚴(yán)重情況下會(huì)導(dǎo)致橋臂直通，引發(fā)短路，造成嚴(yán)重的產(chǎn)品失效事故。隨著新能源的普及，越來越多的場(chǎng)景使用碳化硅/氮化鎵器件，提高隔離產(chǎn)品的CMTI能力迫在眉睫。思瑞浦隔離產(chǎn)品具備 ±200kV/μs的靜態(tài)CMTI, 動(dòng)態(tài)CMTI也高達(dá)±150kV/μs，優(yōu)于國(guó)內(nèi)外同類產(chǎn)品，處于國(guó)際領(lǐng)先水平。

  思瑞浦隔離產(chǎn)品具有高隔離電壓、高抗沖擊性，相關(guān)技術(shù)指標(biāo)處于國(guó)內(nèi)領(lǐng)先地位.國(guó)際先進(jìn)水平能夠滿足大多數(shù)工業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域的可靠性需求。同時(shí)，具有行業(yè)領(lǐng)先地位。CMTI能力，非常適合碳化硅/氮化鎵新能源等應(yīng)用領(lǐng)域。數(shù)字隔離器已獲得相關(guān)安全的認(rèn)證，包括：VDE、UL1577、TUV、CSA、CQC。

  隔離電壓等級(jí)高，靜電保護(hù)和浪涌保護(hù)能力強(qiáng)，±200kV/μs國(guó)際領(lǐng)先的CMTI能力，非常適合碳化硅/氮化鎵的新能源等應(yīng)用領(lǐng)域。用于工廠自動(dòng)化。，電力自動(dòng)化，電機(jī)驅(qū)動(dòng)，電源控制，醫(yī)療等場(chǎng)景可以保留足夠的設(shè)計(jì)余量，提高系統(tǒng)的魯棒性。建議使用思瑞浦領(lǐng)先的隔離系列產(chǎn)品:TPT數(shù)字隔離器7720/7721，TPT7740/7741/7744通道數(shù)字隔離器，TPT7487/7488隔離RS485，TPT71050/71044隔離CAN。